记者从我国科学技能大学了解到,在2月18日举行的世界固态电路会议上,该校程林教授课题组提出一种新式阻隔电源芯片规划方案。他们提出的架构经过在单个玻璃衬底上使用三层再布线层,完结高性能微型变压器的绕制,并完结与发射和接纳芯片的互联,有效地提高了芯片转化功率和功率密度,为往后阻隔电源芯片的规划供给了一个新的解决方案。
阻隔电源芯片关于确保系统安全和可靠性至关重要。程林教授课题组使用先进的玻璃扇出型晶圆级封装技能,将接纳和发射芯片经过封装上可再布线层制成的微型变压器进行互联封装,不需求额定的变压器芯片,克服了现有芯片规划中需求3颗乃至4颗芯片的缺陷,大大提高了阻隔电源转化功率和功率密度。此外,该研讨还提出一种选用了可变电容的功率管栅极电压操控技能,完结了在更宽电源电压规模下,操控栅极峰值电压使其保持在最佳安全电压规模,而无需选用特别厚栅氧工艺的功率管,完结更高的功率并降低成本。
测验结果表明,该阻隔电源芯片完结46.5%的峰值转化功率和最大1.25瓦的输出功率,终究封装尺度仅有5毫米×5毫米,在目前所报导的无磁芯阻隔电源芯片中功率和功率密度均为最高。
据悉,世界固态电路会议创建于1953年,是世界上最顶级芯片技能宣布之地,每年大约有200篇论文当选。因为世界固态电路会议在学术和产业界遭到极大重视,也被称为集成电路规划范畴的“奥林匹克大会”。程林教授课题组的相关效果以论文方式在该会议上宣布,并进行演示。这是我国科大初次以榜首作者单位在该会议上宣布论文。