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紫光控股(000938紫光股票)

wx头像 wx 2024-01-22 03:50:08 6
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  1、敦泰拿下华为、OPPO订单紫光控股,销量暴增

  2、中芯国际有望进入全球前三

  3、紫光国芯或在未来收购长江存储

  4、ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash解决方案

  5、IC Insights:2017年全球存储器市场同比增长10%

  6、苹果A12、A13 Fusion芯片 拟采台积电7纳米制程生产

  7、SK海力士将在中国投资8亿美元提高内存芯片产能

  8、英特尔计划用硅材料开发量子计算机:比超导材料可靠性更好

  9、中国2018年后将设立无人驾驶汽车通信标准

  10、JDI再获日本政府支持基金6.35亿美元投资

  一、敦泰拿下华为、OPPO订单紫光控股,销量暴增

  面板驱动及触控IC厂敦泰(3545)受惠于整合触控功能面板驱动IC(TDDI)潮流紫光控股,TDDI规格的IDC芯片自下半年起出货持续放量,由于三星已决定在明年新推出机种中大量采用TDDI芯片,带动大陆手机厂全面跟进。

  

  敦泰受惠于华为、OPPO等手机大厂扩大下单,IDC芯片明年第一季平均月出货量上看400万套,明年第二季可冲上700万套规模。

  智慧手机厂为紫光控股了要求手机设计轻薄,但零组件成本又要逐渐降低,今年已开始导入整合触控IC及面板驱动IC的TDDI芯片。市调机构IHS指出,手机厂过去可能需要两家IC设计厂才能供应触控IC及LCD驱动IC这两种芯片,但是未来整合成为TDDI单芯片后,只需要一家芯片供应商,不但成本降低,可以简化供应链及降低组装成本,同时可以提升电池容量,手机续航力可以更强。

  在这波芯片整合潮流带动下,敦泰IDC芯片已成功打入大陆、日本、韩国智慧手机厂供应链,包含华为、小米、金立、酷派、OPPO等大陆手机厂已开始导入,日本夏普及韩国乐金等客户也开始采用。法人表示,敦泰IDC芯片出货量从第一季全部仅100万套,第三季平均每月出货量已达100~200万套,第四季平均每月已经成长到300万套。

  敦泰第三季合并营收达30.56亿元,毛利率回升至20.5%,归属母公司税后净利达0.93亿元,每股净利0.32元。累计今年前三季合并营收达83.25亿元,归属母公司税后净利达0.65亿元,顺利由亏转盈,每股净利0.22元。敦泰日前指出,第四季虽然面临中小尺寸面板缺货压力,但因产品组合调整得宜,加上TDDI规格的IDC芯片出货持续拉高,看好单季营收维持成长。

  敦泰公告11月合并营收月减4.1%达8.70亿元,但12月受惠于华为提高智能手机零组件拉货,大客户OPPO更是全力冲刺出货量并扩大对敦泰下单,因此,法人看好敦泰12月营收将见明显成长,而全年将可维持获利,代表敦泰合并旭曜的综效已开始慢慢显现。

  而随着明年起智能手机面板解析度将再度提升,触控面板也开始采用内嵌式触控技术,TDDI方案受到手机大厂青睐。法人指出,敦泰明年IDC芯片出货成长力道强劲,明年第一季平均每月出货量上看400万套,第二季每月有机会达到700万套水准,较今年第四季出货量几乎倍增,显示敦泰明年营运动能相当强劲,获利可望较今年出现数倍成长。

  二、中芯国际有望进入全球前三

  有报导称,大陆最大晶圆代工业者中芯国际(SMIC),今年先后宣布14纳米制程将在2018年投产,以及2016年投资金额提升至25亿美元。这两项指标都超过了全球第3大晶圆代工业者联电,意味中芯有机会超过联电,成为全球第3大晶圆代工业者。

  报导指出,目前在全球半导体制造工艺上,掌握10纳米制程技术的台积电是全球晶圆代工业的领先厂商。

  联电厦门厂拟引进28纳米制程 目前仍卡关

  格罗方德(GlobalFoundries)买下三星的14纳米FinFET(鳍式场效电晶体)技术,成为第3家掌握该技术的晶圆代工厂,但该公司亏损多年,更曾传出要卖给大陆企业,与中芯国际的竞争不明显。

  反观与中芯竞争最直接的就是联电,联电早早在大陆设立和舰科技,目前在厦门已有12寸晶圆厂。

  报导提到,本来联电希望将28纳米制程导入大陆,但由于联电14纳米制程在中国台湾地区尚未量产,因此目前仍处于卡关阶段。

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  今年中芯投资25亿美元 联电为22亿美元

  即使2017上半年联电厦门厂如期采用14纳米FinFET技术,厦门厂引进的也只是28纳米制程,与中芯国际是同样水准,因此竞争力不见得会比中芯更有优势。

  至于投资金额,今年联电投资金额为22亿美元,而中芯国际在上半年就已调升至25亿美元,中芯投资金额首度超越联电,加速了中芯的半导体技术进程。

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  报导指出,若中芯的14纳米FinFET技术如愿赶在2018年投产,届时相较联电的竞争优势将更明显。

  联电厦门厂11月启用 40纳米制程良率99%

  今年11月16日联电宣布,于厦门设立的12寸合资晶圆厂联芯集成电路(厦门)举行揭幕典礼,且该厂打破过去纪录,自2015年3月动工以来,仅20个月即开始量产客户产品。

  联电指出,采用厦门厂40纳米制程的通讯芯片,产品良率逾99%。

  三、紫光国芯或在未来收购长江存储

  紫光国芯12月21日晚间发布公告称,公司的间接控股股东紫光集团拟通过其下属控股子公司紫光控股,与长江存储现有股东共同出资设立长江控股,以实现对长江存储的控制。其中紫光控股出资197亿元,占长江控股注册资本的51.04%;大基金、湖北国芯投资和湖北省科投以其持有的经评估的长江存储全部股东权益加货币出资,合计占长江控股注册资本的48.96%。

  

  公告显示,长江控股设立以后,长江存储将成为长江控股全资子公司,紫光控股持有长江控股 51.04%的股权,从而对长江存储形成控制。

  公告称,本次由紫光控股而不是紫光国芯进行投资的原因主要在于:一、本次投资金额巨大,紫光国芯自有资金不足以完成本次收购;二、本次投资有时间限制,若由紫光国芯通过非公开发行、重大资产重组等方式进行投资,由于审核周期较长,无法在预定时间内完成。

  据悉,武汉新芯作为长江存储目前的生产经营主体,主要业务为存储器芯片、感光芯片的生产制造。目前公司主要从事芯片设计业务,未来拟规划投资进入存储器芯片制造领域,公司与长江存储存在潜在同业竞争的情况。

  公司表示,为有效解决上述潜在同业竞争,紫光集团承诺,紫光国芯未来规划发展存储器芯片制造业务时,在满足条件的情况下,紫光国芯有权通过非公开发行、重大资产重组等方式对长江存储进行产业整合。

  四、ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash解决方案

  垂直通道填充金属系3D NAND Flash朝64层以上垂直堆叠发展的关键课题之一,原子层沉积(Atomic Layer Deposition;ALD)制程可于高深宽比(High Aspect Ratio)垂直通道中,大面积形成均匀性薄膜,且具备良好的阶梯覆盖性(Step Coverage),故适用于更多层3D NAND Flash垂直通道填充金属,然其存在沉积速度较慢及所需材料成本较高等问题。

  ALD系化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition;CVD)的一种,与另一CVD技术电浆辅助化学气相沉积(Plasma-Enhanced CVD;PECVD)相较,ALD采用依序注入第一种与第二种前驱物(Precursor)作为反应气体的方式,来蒸镀薄膜,此不同于PECVD运用电浆的蒸镀技术,同时蒸镀两种以上前驱物进行化学反应。

  观察ALD的优点,其可准确控制膜厚,以原子级精准度形成大面积的均匀薄膜,且适于在凹凸结构蒸镀阶梯覆盖性佳的薄膜,反观PECVD则不易在凹凸结构或深孔图样达成厚度一致的薄膜,故ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash垂直通道填充金属的解决方案。

  不过,ALD因依序注入反应气体以蒸镀薄膜,其沉积速度较PECVD慢,相对需较长制程时间,且ALD所需前驱物数量较多,易使沉积成本增加。

  3D NAND Flash朝64层以上发展,需于沉积与蚀刻面改良薄膜沉积、垂直贯穿通道、通道填充金属等制程,其中,薄膜沉积制程时间延长,垂直贯穿通道需改采成本较高的干式蚀刻技术,而通道填充金属所需ALD制程亦存在制程时间与成本增加等问题,使得如何因应成本上扬将成3D NAND Flash发展更多层技术的重要课题。

  五、IC Insights:2017年全球存储器市场同比增长10%

  在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后,2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情,都没有拯救2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多,从而在2015年下半年出现了价格暴跌,2015年存储器销售额最终为780亿美元,同比下降了3%。

  这种颓势延续到了2016年上半年,但从2016年下半年开始情况发生了变化,存储器价格开始变得异常坚挺,而且持续到了2016结束。但由于上半年跌价太狠,IC Insights估算2016全球存储器市场同比下降1%。

  IC Insights预计2017年存储器价格还将上涨,从而推动全球存储器市场规模达到创纪录的853亿美元,同比增长10%。该机构同时认为,今后几年存储器市场都将非常健康,在2020年之前每年都能保证增长,并于2020年达到1000亿美元的规模。2021年可能接近1100亿美元左右。

  IC Insights认为,从2016年到2021年年平均增长率可达7.3%,比集成电路整体市场年复合增长率高2.4个百分点,存储器模组的年复合增长率为5.6%,价格上涨成为存储器市场表现好的极大因素。不过IC Insights预计,从现在到2021年,每年存储器价格都将上涨,平均价格每年上涨1.8%。

  DRAM是2013与2014年存储器市场增长的主力军,但2015年DRAM销售额下降3%,2016年下跌10%,这导致全球存储器市场连续两年下跌。预计2017年DRAM价格将大幅上涨,从而带动DRAM市场增长11%。NAND闪存在2016年还是实现了增长,2017年将再增长10%。

  六、苹果A12、A13 Fusion芯片 拟采台积电7纳米制程生产

  苹果(Apple)预期将于2017年9月推出搭载新一代A11 Fusion芯片的iPhone,目前外界预期A11 Fusion芯片可能将由台积电最新10纳米制程技术生产,借此应有助苹果内建更多功能至该芯片中。

  而在A11 Fusion后,最新传出苹果预期2018及2019年分别将推出的A12 Fusion及A13 Fusion芯片也可能由台积电生产,但非采10纳米制程,而是台积电刚发布不久的7纳米制程技术。

  

  根据Fox Business报导,借由7纳米制程生产,外界预期A12 Fusion及A13 Fusion芯片将能够进一步较采10纳米制程生产的A11 Fusion芯片,在性能、功耗等方面见到进一步提升。

  不过即使A12 Fusion及A13 Fusion芯片均可能采台积电7纳米制程生产,但近期台积电共同执行长刘德音曾暗示指出,苹果A13 Fusion芯片所采技术将与打造A12 Fusion芯片可能采用的技术相当不同。

  在台积电最近一次举行的财报电话会议上,刘德音也曾表示台积电将于2017年完成7纳米制程技术开发,到了2018年7纳米制程技术将再进行升级,并于2019年完成5纳米制程技术开发工作。

  另据The Motley Fool网站报导,美国波士顿券商BlueFin Research Partners分析师最新报告指出,台积电将自2017年4月稍晚开始生产苹果A11处理器,且一如外界广泛预期,苹果A11芯片将不会是首款于2017年由台积电10纳米制程技术生产的芯片产品,包括苹果将搭载于下一代iPad产品线的A10X处理器,以及联发科将推出的Helio X30移动应用处理器,应该都会比A11更早由台积电10纳米制程生产。

  该报告提到,即使苹果A11处理器应会于2017年4月稍晚时开始生产,但预估台积电10纳米制程将先自2016年第4季开始少量试产,预估2017年第1季10纳米制程每月产能将逾两万片。

  另外该报告分析师指出,据该公司研究,有鉴于台积电10纳米制程良率目前仍低于50%,因此上述均由台积电10纳米制程生产的结果可能是偶然情况。这意谓10纳米制程的偏低良率有可能导致10纳米晶圆营收及毛利率相对较低。

  外界认为,台积电10纳米制程首先生产的产品应该是苹果A10X及Helio X30,但这两款芯片产量相较于苹果A11应该都会相对较低,这意谓台积电10纳米制程早期产品出货量应会相对有限,为台积电创造的营收比重同样应不大,直到量产A11后才会见到较明显营收贡献。

  台积电近期揭露该公司7纳米制程技术部分规格细节,称相较于16纳米制程,7纳米制程可提升芯片在相同功耗下处理速度提升约4成的效能,在相同性能表现下7纳米制程芯片较16纳米制程可节省超过65%功耗消耗,以及可达0.43X的芯片区域微缩水准。

  外界认为,台积电似乎正提供苹果及其紫光控股他移动处理器供应商,任何能够维持每年推出处理速度更快、能够内建更多功能处理器所需的制程技术,因此未来几年苹果A系列芯片要能每年持续提升性能与功耗应不是问题,问题反而出在一般大众消费性市场是否对于搭载更高性能表现处理器的iPhone有强烈购买意愿上。

  最明显例子即2015年推出的iPhone 6s系列,虽然苹果让iPhone 6s系列搭载性能较iPhone 6系列大幅提升的处理器,但显然没有创造明显推升iPhone 6s买气的效果,因此后续推出的iPhone即使搭载更高性能处理器,是否可成为一大卖点仍待观察。

  七、SK海力士将在中国投资8亿美元提高内存芯片产能

  据外媒报道,韩国SK海力士周四宣布,将在韩国和中国投资3.16万亿韩元(约合27亿美元)以提高存储芯片产能,抓住行业内需求增长的机遇。作为全球第二大存储芯片制造商,SK海力士表示,将投资2.2万亿韩元在韩国南部新建一座NAND闪存芯片工厂,并同时投资9500亿韩元(约合7.93亿美元)提高现有中国无锡工厂的DRAM内存芯片产能。

  移动设备存储需求的增长和固态硬盘在PC、数据中心的使用已促使SK海力士对手三星电子、东芝提高在芯片生产上的投资。“为了实现进一步增长,提前确保芯片产能很重要,这样才能应对3D NAND技术引领的NAND闪存市场增长,”SK海力士在一份声明中称。

  市场研究公司IHS预计,明年NAND闪存芯片行业收入将同比增长5.9%至357亿美元,高于今年的5.7%增速。

  SK海力士股价今年已经累计上涨了大约49%,有望创下自2009年以来的最大涨幅。在周四早盘交易中,SK海力士股价上涨2%,超过了大盘指数涨幅。

  八、英特尔计划用硅材料开发量子计算机:比超导材料可靠性更好

  英特尔正计划利用现有的硬件材料去开发量子计算机。通过量子机制,量子计算机能带来更强大的计算性能。竞争对手IBM、微软和谷歌都在开发量子计算机,但这些量子计算机与当前的计算机有很大不同。英特尔则计划利用当前的硅晶体管材料来实现量子计算机。

  英特尔位于俄勒冈州波特兰的一支量子硬件工程师团队正与荷兰代尔夫特理工大学QuTech量子研究所的研究人员展开合作。去年,双方共同成立了规模5000万美元的项目。本月早些时候,英特尔报告称,目前可以在芯片工厂使用的标准硅晶元之上生长一层超纯净的硅膜,用于量子计算。

  

  量子计算机的基本单元是量子位。其他公司利用超导电路去实现量子位,但这样的量子位数量有限。英特尔的新技术在这一方面则更进一步。

  一台量子计算机需要数千,甚至数百万量子位才能实现有用的功能。英特尔这一项目的负责人、量子硬件总监吉姆?克拉克(Jim Clarke)认为,基于硅材料的量子位更有可能达到这一目标(英特尔也在研究基于超导材料的量子位)。他表示,硅材料的一大优势在于,业内已经在这一方面积累了大量专业经验,并有现成的设备可以使用,这将帮助量子位获得更快的发展。

  采用硅晶体管开发量子位的另一方面原因在于,相对于超导材料,硅量子位的可靠性更好。

  九、中国2018年后将设立无人驾驶汽车通信标准

  据外媒报道,中国汽车工程学会常务理事长付于武表示,中国将在2018年为车对车通信(V2V)标准奠定基础;之后,中国将设立一套全国通用的标准,这对无人驾驶汽车的发展至关重要。中国的目标是建立一套全国标准,可加速无人驾驶汽车在中国市场的部署。这与美国形成鲜明对比。在美国市场,相关标准由一堆法规拼接而成,行业人士称这可能妨碍该国无人驾驶汽车行业的发展。

  今年早些时候,在中国工业和信息化部的指导下,中国汽车工程学会和各大国产汽车厂商一道,为“十三五”汽车工业发展规划和“中国制造2025”政策提出了发展目标和意见。

  作为结果,中国在10月发布了长达450页的路线图,为到2030年的三个五年期间,汽车工业的几乎每个方面列出了详尽的政策目标,包括无人驾驶汽车和电动汽车。

  然而,这份文件未能建立一套车对车和车对基础设施通信(V2I)的统一标准,而两者对自动驾驶汽车的成功十分关键。

  对此付于武表示,在下一次路线图更新中,中国将在2018年为车对车和车对基础设施通信标准“奠定基础”,此后,在2020至2025年期间制定更加具体的标准。

  付于武称,中国实行中央统一规划的方式可能比日本等国更高效,后者一直难以让本国的三大汽车厂商同意相关标准。

  “你基本上不能使用不同的通信渠道,因此最终我们需要一个统一的程序。这会很复杂和困难,但是对行业最有利,”付于武对路透社说道。

  中国希望,到2020年,售出的汽车中有至少7%为电动或混合动力汽车。然而中国工业和信息化部近期宣布,将收紧对新能源汽车的补贴。对此付于武表示,这并不会妨碍该目标的实现。

  十、JDI再获日本政府支持基金6.35亿美元投资

  据《华尔街日报》报道,日本政府支持的产业革新机构(Innovation Network Corp. of Japan, 简称INCJ)周三表示,将向Japan Display Inc. 进一步投资至多750亿日圆(约合6.35亿美元)资金。Japan Display是苹果公司iPhone系列手机显示面板的供应商。Japan Display表示,将通过向INCJ定向发行无抵押次级可转换债券、以及从INCJ得到一笔次级贷款来获得该资金。INCJ是Japan Display第一大股东。

  

  Japan Display是日本旗舰显示面板供应商。受强大的价格压力以及来自有机发光二极管(OLED)显示技术的竞争影响,该公司的核心业务已经萎缩。OLED技术目前由韩国的三星电子主导。

  这笔投资将为Japan Display提高其液晶显示技术以与OLED显示产品竞争、同时扩大其OLED业务的努力提供资金。

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