nand(难抵by 市鞍马)

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备nand，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显随着人们持续追求功耗更低重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存。

NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据它的发展目标就是降低每比特存储成本提高存储容量NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建区别 1闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯。

NAND是与非门与非门，翻译为英语是NAND gate，是数字电路的一种基本逻辑电路与非门则是当输入端中有1个或1个以上是低电平时，输出为高电平只有所有输入是高电平时，输出才是低电平与非门可以看作是与门和非门的。

NAND读取和写入是在页的级别上被执行的相反，擦除是在区块级别上被执行的ROM定义 智能手机配置中的ROM指的是 EEProm 电擦除可写只读存储器，类似于计算机的硬盘，一般手机刷机的过程，就是将只读内存镜像ROM image。

DRAM与NAND的区别是1DRAMDynamicRandomAccessMemory，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存DRAM只能将数据保持很短的时间为nand了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新refresh一次，如果存储单元没。

NVME是软件层面的概念二者之间要说有一点联系，无非是采用NAND闪存颗粒的一部分固态硬盘M2接口固态硬盘，支持NVME协议而已nand你这种问法，貌似“非承载式底盘和干式双离合的区别”，一个是汽车底盘类型，一个是离合。

一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR 简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二GbNOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称。

以计算机win 7为例，DRAM与NAND区别如下1DRAM Dynamic Random Access Memory ，即动态随机存取存储器DRAM只能将数据保持很短的时间为了保持数据， DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新 refresh 一次，如果。

NAND闪存的优点在于写编程和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写编程操作的能力见下图图2NOR的随机存取能力支持直接代码执行XiP，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能NAND的缺点是随机。

是NAND 硬盘错误，多数为FLASH闪存或周边其电路故障，属于主板电路故障造成的原因1手机进水腐蚀手机进水后应及时断电并对其电路进行全面清洗，待水分烘干后，再开机由于苹果手机的设计，想拆掉电池对个人用户来说比较。

Flash又分为NAND flash和NOR flash二种U盘和MP3里用的就是这种存储器相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的。

一定义上的区别 1Nandflash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案2NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建二原理上的区别 1。

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能。

每一个页均包含一个2048字节的数据区和64字节的空闲区，总共包含2，112字节空闲区通常被用于ECC耗损均衡wear leveling和其它软件开销功能，尽管它在物理上与其它页并没有区别NAND器件具有8或16位接口通过8或16位。

优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度。